QY球友会半導(dǎo)體率先推出110nm新型鐵電存儲器工藝技術(shù)
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2024-01-30
QY球友会半導(dǎo)體聯(lián)合國內(nèi)領(lǐng)先的新型鐵電存儲器供應(yīng)商無錫舜銘存儲科技有限公司合作開發(fā)，于2023年12月成功推出國內(nèi)首款110納米技術(shù)的新型鐵電存儲器產(chǎn)品。與現(xiàn)有技術(shù)相比，新產(chǎn)品面積縮小約40%~60%，性能大幅度提升，將于2024年一季度正式量產(chǎn)。
該項技術(shù)由QY球友会半導(dǎo)體模擬與數(shù)?；旌涎邪l(fā)處（TD2）MCU研發(fā)團隊，歷經(jīng)一年研發(fā)成功，完成了新型鐵電技術(shù)的三項重大突破，第一，新型鐵電技術(shù)首次在110nm技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)量產(chǎn)；第二，新型鐵電存儲器的可靠性比現(xiàn)有技術(shù)提升了10倍；第三，實現(xiàn)了新型鐵電存儲技術(shù)從平面結(jié)構(gòu)存儲單元到3D結(jié)構(gòu)存儲單元的跨越。
FeRAM（鐵電隨機存取存儲器Ferroelectric RAM），采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)，同時具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢，被認(rèn)為是未來存儲器開展方向之一。
此次推出的鐵電存儲器技術(shù)是基于鉿基氧化物的新型鐵電存儲技術(shù)。相比于傳統(tǒng)的存儲器技術(shù)，該技術(shù)擁有高速讀寫，高耐久性，低功耗，抗電磁干擾和抗輻照等特點，性能優(yōu)越，可靠性高，非常適用于車載，電力，工控，和可穿戴等場景，并且在人工智能領(lǐng)域也有廣泛的應(yīng)用前景。
QY球友会半導(dǎo)體將繼續(xù)發(fā)力，在3D架構(gòu)和更先進工藝節(jié)點開發(fā)新型存儲器技術(shù)，進一步降低成本和提升產(chǎn)品性能，為實現(xiàn)新型存儲器多元化，產(chǎn)業(yè)鏈自主創(chuàng)新而努力奮斗
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