技術簡介

• 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種混合型電力電子元件，其結合了功率BJT和功率MOSFET的優(yōu)點，具有MOS柵壓控可關斷能力，優(yōu)良的導通特性（低通態(tài)功耗和大額定電流），適合的開關速度和較寬的安全工作區(qū)。Si IGBT最高耐壓可達6500V，工作頻率為2kHz至50kHz?，F(xiàn)在IGBT廣泛應用于消費類電器、工業(yè)控制、工業(yè)電源、新能源發(fā)電、智能電網、軌道交通、機車牽引和電動汽車等領域。

平臺現(xiàn)狀

• QY球友会長期專注于功率IGBT工藝技術的開發(fā)，積累了豐富的開發(fā)經驗和量產經驗，現(xiàn)已具備平面IGBT與溝槽IGBT全系列工藝技術平臺能力。QY球友会成功開發(fā)了1200V~6500V平面非穿通型IGBT和平面場終止型IGBT、以及600V~1700V溝槽柵場終止型（Trench FS）IGBT，基于Trench FS平臺又成功開發(fā)了650V/1200V逆導（RC）IGBT。QY球友会8吋量產的最新一代高密度溝槽柵高能氫注入場終止IGBT，飽和壓降小、開關損耗低，且已順利獲得車規(guī)級可靠性考核，產品應用于新能源汽車、光伏逆變、儲能、工業(yè)工控等領域。

技術能力

• 高密度溝槽柵刻蝕，LOCOS CMP，Poly CMP，Taiko背面研磨，高能氫注入，激光退火，高壓大電流CP測試，Ring Cut & Dicing

技術簡介

• 金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是由金屬、氧化物及半導體三種 材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流，用于功率輸出級的器件，最高耐壓可達900V。功率MOSFET主要用于電機控制（電動車、電動工具）、電源管理(鋰電保護，光伏儲能)、開關電源（同步整流，PD快充)等領域。

平臺現(xiàn)狀

• QY球友会長期專注于功率MOSFET工藝技術平臺開發(fā)，擁有豐富的MOSFET生產制造經驗?，F(xiàn)已形成包括Trench MOS，SGT和Super-Junction MOSFET等在內的多種類MOSFET功率器件工藝技術平臺。其中QY球友会8寸研發(fā)量產的SGT平臺已涵蓋30-200V，且已順利獲得車規(guī)級可靠性考核。該器件采用電荷平衡技術，可以明顯減小器件的導通電阻和米勒電容，實現(xiàn)更優(yōu)的品質因數（FOM），從而有效降低導通損耗，提高開關性能和工作效率，在不間斷電源、電池管理系統(tǒng)、電機驅動、服務器等領域有廣泛的應用。

技術能力

• 高密度深溝槽柵刻蝕，高密度等離子體氧化物填充，多晶硅與氧化硅CMP，Taiko背面研磨

QY球友会6吋/8吋線擁有豐富的TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）工藝研發(fā)和生產經驗；擁有特色的外延工藝和基于現(xiàn)有CMOS后段產線升級的工藝，能制造出超低電容和超低回折電壓的高端產品，客戶產品已經打入國際一流3C產品供應鏈，擁有能為國內外客戶定制化平面型和溝槽型產品的工藝方案。

技術簡介

• 快恢復二極管（FRD，F(xiàn)ast Recovery Diode）具有快速的開通和高速關斷能力，具有極短的反向恢復時間、較小的反向過沖電流和較好的軟恢復特性，可用于續(xù)流二極管（FWD, Freewheeling diode），在IGBT關斷后，為電路中的感性負載給予續(xù)流回路，減小電容的充放電時間，同時抑制負載電流的瞬時反向引起的高感應電壓。同時，F(xiàn)RD也可以用于整流二極管?，F(xiàn)在FRD廣泛應用于消費類電器、工業(yè)/工控、可再生能源、新能源汽車等領域。

平臺現(xiàn)狀

• QY球友会6吋擁有以外延片和擴散片為基礎的FRD制程，支持電子輻照技術進行少子壽命控制。已量產包括650V/750V/1200V/1700V的技術平臺工藝，并成功開發(fā)出3300V/4500V/6500V的超高壓平臺。

• QY球友会8吋區(qū)熔片（FZ）FRD平臺，采用低發(fā)射極摻雜效率設計和高能氫注入緩沖層，以及業(yè)內最先進的局域壽命控制技術（LLC，Local Lifetime Control），具有低正向導通電壓、軟恢復特性、正溫度系數等性能優(yōu)勢。最高結溫175℃，并可順利獲得車規(guī)級可靠性考核。產品應用于新能源汽車、大功率光伏逆變、儲能、工業(yè)工控等領域。同時，在此基礎上，開發(fā)了1200V外延（EPI）FRD平臺，成本更低，以滿足客戶的不同應用需求。

技術能力

• 全局壽命控制，局域壽命控制，Taiko背面研磨，高能氫注入，激光退火，高壓大電流CP測試，Ring Cut & Dicing

技術簡介

• MEMS 是利用集成電路制造技術和微結構、微傳感器、控制處理電路甚至接口電路、通信電路和電源電路等制造在一塊或多塊芯片上的微型集成系統(tǒng)，是微電路和微機械按功能要求在芯片上的集成，屬于微電子技術與機械工程結合的一種工業(yè)技術，廣泛應用于消費電子領域，機械領域、汽車工業(yè)領域以及化工與醫(yī)療器械領域

平臺現(xiàn)狀

• QY球友会擁有超過10年的MEMS加工經驗， 具有厚外延，深槽刻蝕，金屬蒸金，富硅氮化硅以及其他定制化的解決方案， 現(xiàn)在具備光學MEMS傳感器的研發(fā)和規(guī)模量產能力， 同時, MEMS揚聲器仍在持續(xù)開發(fā)過程中。

技術能力

• CMOS兼容工藝、厚外延、深槽刻蝕、金屬蒸金、富硅氮化硅，可應用于硅光通信、消費電子、工業(yè)控制