碳化硅器件(Silicon Carbide)

碳化硅材料具有高導(dǎo)熱的材料特性，可在高溫環(huán)境下正常運(yùn)作。碳化硅功率器件具有耐高壓、高頻操作的優(yōu)勢(shì)。碳化硅器件可改善系統(tǒng)效率、可靠性，提升系統(tǒng)功率密度，小型化電力電子系統(tǒng)。在高可靠性要求的工業(yè)應(yīng)用、高效電力系統(tǒng)、伺服電源及電力汽車(chē)等領(lǐng)域，碳化硅材料比其他新興材料更具明顯優(yōu)勢(shì)并被廣泛應(yīng)用。

碳化硅器件特點(diǎn)

• 碳化硅肖特基二極管具有高耐壓、高導(dǎo)熱材料特性，具有優(yōu)異的反向恢復(fù)能力，可改善功率損失，提升系統(tǒng)的效率。

• 碳化硅MOSFET具有高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻等特性，在電力電子高頻應(yīng)用中，可以減少導(dǎo)通切換的功率損失，提升整體系統(tǒng)效率